La feuille de route d’Intel pour les dix ans à venir révèle un planning ambitieux. Tous les deux ans, la firme estime pouvoir améliorer la finesse de gravure de ses processeurs pour parvenir à 1,4 nm en 2029, l’équivalent de 12 atomes de silicium. Un objectif qui semble difficile à atteindre, il aura fallu plus de 4 ans à Intel pour passer de 14 nm à 10 nm.
Alors qu’Intel a présenté récemment ses processeurs de dixième génération gravée en 10 nm (architecture Ice Lake), la firme annonce qu’elle parviendra à graver en 1,4 nm en 2029. Plutôt surprenant lorsqu’on sait que le fondeur a accumulé plusieurs années de retard qui l’ont conduit à rester sur une technologie en 14 nm pendant plus de 4 ans.
À l’occasion de la conférence IEEE International Electron Devices Meeting, Anandtech s’est procuré une feuille de route détaillée qui révèle les ambitions d’Intel pour les dix années à venir. Plus précisément, Anandtech ne tient pas ces informations directement d’Intel, mais les a obtenues de son partenaire ASML qui a ajouté les échéances calendaires. Les datations du document restent néanmoins fiables si l’on se rapporte aux nœuds marqués d’un « + » qui indiquent une année supplémentaire.
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Intel adopte des cycles de 2 ans pour passer de 10 nm à 1,4 nm en seulement dix ans
Intel répond à la pression de son concurrent AMD. Le fondeur propose des processeurs Ryzen en 12 nm depuis 2018, et prévoit de lancer la quatrième génération en 2020 en 7nm. Avec l’arrivée de l’architecture Zen 4, AMD a prévu des Ryzen en 5 nm dès 2021.
Les prévisions d’Intel mettent en évidence des cycles de deux ans entre chaque évolution majeure. Le document révèle également que, selon Intel, cette cadence est la plus pertinente pour offrir le meilleur rapport qualité-prix. Le graphique indique aussi que le fondeur a prévu de développer des processeurs intermédiaires. Ils doivent constituer des évolutions optimisées et plus performantes pour une même finesse de gravure.
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À partir de cette année, Intel estime parvenir à 7nm en 2021, 5 nm en 2023, 3 nm en 2025, 2 nm en 2027 et finalement 1,4 nm en 2029, soit environ les dimensions de 12 atomes de silicium. Un objectif qui semble très difficile à atteindre, d’autant plus que la firme ne précise pas comment elle imagine y parvenir. Actuellement, Intel compte sur la technologie EUV (Extreme ultraviolet lithography) pour atteindre les 7 nm, mais les procédés qui permettront de graver encore plus finement n’ont pas été annoncés.
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Source : AnandTech
